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Processeurs : IBM et NEC visent la gravure des transistors en 32 nanomètres
- 12-09-2008
NEC a rejoint une alliance créée autour d'IBM pour développer un procédé de fabrication de processeurs en 32 nanomètres.
Le 11 septembre, NEC a annoncé qu'il rejoignait IBM et six autres sociétés spécialisées dans les semiconducteurs (Charted Semiconductor, Freescale, Infineon Technologies, Samsung, STMicroelectronics et Toshiba) afin de développer des processeurs gravés en 32 nanomètres (nm).
IBM a créé cette alliance dans le but de réaliser des puces nécessitant une technologie CMOS standard. Selon le constructeur, ces puces CMOS en 32 nm devraient offrir une augmentation des performances de l'ordre de 35 % par rapport aux processeurs gravés en 45 nm, ainsi qu'une réduction de la consommation de près de 50 % (à enveloppes thermiques égales).
En 2007, les ingénieurs d'IBM avaient annoncé avoir développé une technologie d'isolants "High-k" (high-k metal gate) pour des puces en 32 nm, permettant de réduire les fuites d'énergie des transistors tout en améliorant les performances générales. IBM n'a, pour le moment, pas donné de détails sur sa technologie mais Intel a déclaré qu'il utilisait du hafnium (un élément chimique) dans sa technologie d'isolants high-k pour sa gamme de processeurs en 45 nm.
Intel travaille également sur un procédé de fabrication en 32 nm. Ses premières puces de ce type devraient apparaître vers le deuxième semestre 2009. Du côté d'IBM, aucune date de lancement des processeurs en 32 nm n'a été annoncée.
Auparavant, NEC collaborait déjà avec Toshiba sur des technologies de gravure en 45 et 32 nm. L'accord avec IBM prévoit également une coopération dans le développement de technologies de système sur puce. Pour l'essentiel, les recherches seront conduites dans l'usine IBM d'East Fishkill dans l'Etat de New York.
En marge de cette alliance, IBM et un autre groupe de partenaires (notamment AMD, Freescale, STMicroelectronics et Toshiba) travaillent au développement d'une technologie de puces en 22 nm. En août, ce groupe annonçait avoir déjà développé un procédé de fabrication de cellules de mémoire SRAM en 22 nm.
(Adaptation d'un article d'eWeek.com)
